Questões de Concurso
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Q841265
Engenharia Eletrônica
A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia
conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem
crescente da frequência é
Ano: 2017
Banca:
IF-TO
Órgão:
IF-TO
Prova:
IF-TO - 2017 - IF-TO - Técnico de laboratório - Processos Industriais |
Q838719
Engenharia Eletrônica
Em relação aos tiristores, é correto afirmar que:
Ano: 2017
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-BA
Prova:
CESPE - 2017 - TRE-BA - Técnico Judiciário – Eletricidade e Telecomunicações |
Q836079
Engenharia Eletrônica
Uma edificação pode conter sistemas de automação que controlam
e verificam o funcionamento de elementos como iluminação,
ar-condicionado, elevadores, detecção e alarme de incêndio.
A respeito das tecnologias e soluções adotadas para automação
predial, assinale a opção correta.
Ano: 2017
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-BA
Prova:
CESPE - 2017 - TRE-BA - Técnico Judiciário – Eletricidade e Telecomunicações |
Q836056
Engenharia Eletrônica
O tiristor do tipo SCR, ou seja, retificador controlado de silício,
Ano: 2017
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IGP-RS
Prova:
FUNDATEC - 2017 - IGP-RS - Perito Criminal - Engenharia Mecânica |
Q830806
Engenharia Eletrônica
O invólucro do transistor de
potência mostrado na Figura 6 abaixo possui
diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm.
Uma corrente de ar que resfria o transistor
está a 20°C e sob condições em que mantém
um coeficiente de convecção médio de h=90
W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo
que a temperatura superficial do transistor
não deve exceder 80°C, assinale a alternativa
que indica a máxima potência admissível para
as condições descritas.
