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Q1107550

Engenharia Eletrônica Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica , Álgebra Booleana e Circuitos Lógicos em Engenharia Eletrônica ,

Ano: 2019 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: Prefeitura de Uberlândia - MG Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2019 - Prefeitura de Uberlândia - MG - Engenheiro Eletricista |

Q1107550 Engenharia Eletrônica

Considerando quatro variáveis binárias A, B, C e Z, assinale a alternativa que apresenta o circuito lógico que pode ser utilizado para implementar a expressão: Imagem associada para resolução da questão

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Q1107547

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Q1107547 Engenharia Eletrônica

Transistores são dispositivos semicondutores de três camadas e três terminais que foram responsáveis por impulsionar a indústria eletrônica após seu surgimento.

Em relação a esses dispositivos, assinale a alternativa correta.

Alternativas

Na configuração base–comum, a região ativa do transistor se caracteriza pela junção base– emissor polarizada reversamente.

Para a configuração base–comum, a região de corte se caracteriza pelas junções base–emissor e base–coletor polarizadas reversamente.

Para a configuração base–comum, a região de saturação é caracterizada pela polarização reversa nas junções base–emissor e base– coletor.

Na região ativa de uma configuração emissor– comum, a junção base–coletor é polarizada diretamente, enquanto a junção base–emissor é polarizada reversamente.

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Q1107546

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,

Q1107546 Engenharia Eletrônica

Diodos são dispositivos semicondutores de dois terminais amplamente utilizados em sistemas eletrônicos.

Em relação a esses dispositivos, assinale a alternativa incorreta.

Alternativas

Um diodo ideal funciona como um curto-circuito quando polarizado diretamente, e como circuito aberto quando polarizado reversamente.

A corrente existente sob condição de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa, em um diodo real.

O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado em um diodo, antes que o dispositivo entre na região de ruptura, é chamado de tensão de pico inversa.

A tensão de ruptura reversa de um diodo independe do valor de temperatura ao qual o dispositivo está submetido.

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Q1106995

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2018 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: INB Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2018 - INB - Técnico em Automação Industrial |

Q1106995 Engenharia Eletrônica

Semicondutores são materiais de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes, sendo amplamente utilizados na fabricação de transistores e diodos. Em relação aos transistores, assinale a alternativa CORRETA.

Alternativas

Um transistor possui três terminais, base, emissor e transdutor.

Na região ativa, a junção base-emissor está polarizada diretamente.

Na região de corte, a junção base-transdutor está polarizada reversamente.

Na região de saturação, a junção base-emissor está polarizada reversamente.

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