Questões de Concurso Comentadas por alunos sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região
ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja
submetida à polarização reversa, e a junção entre base e
emissor seja polarizada diretamente.
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.
Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a
capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas
placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá
se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois
a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.
O conversor CC-CC está operando no modo contínuo de corrente, com o transistor Q1 operando como chave, na frequência de chaveamento f, conforme mostra a figura abaixo. Leia as proposições.
I. Neste modo de operação, a tensão de saída é sempre menor ou igual a tensão de entrada.
II. A cada vez que o transistor Q1 conduz, energia da fonte de entrada é transferida ao capacitor C1, e quando Q1 abre, a energia da entrada é transferida ao indutor L1.
III. A corrente de carga no indutor é não-linear, dado pela equação VL(t) = L di(t)/dt
IV. A corrente no capacitor C1 é tal que a tensão sobre C1 tende a permanece relativamente constante, dado por ic(t) = C dv/dt
Assinale a alternativa correta:
Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.
II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é