Questões de Concurso

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Q830806 Engenharia Eletrônica
O invólucro do transistor de potência mostrado na Figura 6 abaixo possui diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm. Uma corrente de ar que resfria o transistor está a 20°C e sob condições em que mantém um coeficiente de convecção médio de h=90 W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo que a temperatura superficial do transistor não deve exceder 80°C, assinale a alternativa que indica a máxima potência admissível para as condições descritas.
Imagem associada para resolução da questão
Alternativas
Q827563 Engenharia Eletrônica

Considere a figura abaixo que se refere ao esquema elétrico equivalente de um dispositivo eletrônico usado em sistemas de potência.


Imagem associada para resolução da questão


Trata-se de um

Alternativas
Q797589 Engenharia Eletrônica
Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas características indicadas na coluna da esquerda. 1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em condução controlada por gatilho e bloqueio não controlado. 2. Tiristor bidirecional. 3. Transistor de potência que conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito de campo. 4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho. ( ) TRIAC. ( ) SCR. ( ) GTO. ( ) IGBT. Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de cima para baixo.
Alternativas
Q796661 Engenharia Eletrônica
O dispositivo representado abaixo é chamado de Imagem associada para resolução da questão
Alternativas
Ano: 2017 Banca: FUNECE Órgão: UECE Prova: FUNECE - 2017 - UECE - Engenheiro Eletricista |
Q795336 Engenharia Eletrônica

Atente ao seguinte circuito:

Imagem associada para resolução da questão

Considerando o circuito acima, é correto afirmar que

Alternativas
Respostas
26: C
27: E
28: A
29: A
30: A