Questões de Concurso
Foram encontradas 976 questões
Resolva questões gratuitamente!
Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!
O conversor CC-CC está operando no modo contínuo de corrente, com o transistor Q1 operando como chave, na frequência de chaveamento f, conforme mostra a figura abaixo. Leia as proposições.
I. Neste modo de operação, a tensão de saída é sempre menor ou igual a tensão de entrada.
II. A cada vez que o transistor Q1 conduz, energia da fonte de entrada é transferida ao capacitor C1, e quando Q1 abre, a energia da entrada é transferida ao indutor L1.
III. A corrente de carga no indutor é não-linear, dado pela equação VL(t) = L di(t)/dt
IV. A corrente no capacitor C1 é tal que a tensão sobre C1 tende a permanece relativamente constante, dado por ic(t) = C dv/dt
Assinale a alternativa correta:
Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.
II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
Dado a tabela-verdade a seguir, que representa os estados lógicos de um circuito eletrônico digital de entradas E1, E2 e E3 e saída S. A equação de saída S representa a equação booleana retirada da tabela-verdade, das saídas S iguais a 1. Das alternativas abaixo, marque a única equação que, corretamente, representa a menor equação possível que representa corretamente a saída S.
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 . Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Conheça nossos planos