Questões de Concurso
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Ano: 2023
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
CEMIG - MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - CEMIG - MG - Técnico - Formação Técnico em Eletroeletrônica |
Q2333388
Eletroeletrônica
Analise o circuito a seguir.
Os valores dos componentes do circuito são R = 1,2 kΩ e C = 60 μF.
Após o fechamento da chave S, é correto afirmar que a tensão VC no capacitor atinge 99,3% do valor da tensão da fonte em um tempo igual a
Os valores dos componentes do circuito são R = 1,2 kΩ e C = 60 μF.
Após o fechamento da chave S, é correto afirmar que a tensão VC no capacitor atinge 99,3% do valor da tensão da fonte em um tempo igual a
Ano: 2023
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
CEMIG - MG
Provas:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - CEMIG - MG - Técnico - Formação Técnico em Eletroeletrônica
|
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - CEMIG - MG - Técnico - Formação Técnico em Eletrotécnica |
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - CEMIG - MG - Técnico de Campo - Formação Técnico de Eletrotécnica |
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - CEMIG - MG - Técnico de Campo - Formação Eletromecânica |
Q2333382
Eletroeletrônica
A teoria de semicondutores é fundamental para entender
o funcionamento de dispositivos eletrônicos, como
diodos e transistores.
Nesse contexto, assinale a alternativa que descreve corretamente uma característica dos semicondutores.
Nesse contexto, assinale a alternativa que descreve corretamente uma característica dos semicondutores.
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Três Passos - RS
Prova:
FUNDATEC - 2023 - Prefeitura de Três Passos - RS - Engenheiro Eletricista |
Q2303125
Eletroeletrônica
Determine a expressão booleana simplificada para o Mapa de Karnaugh na Tabela 1
a seguir:
Tabela 1
Tabela 1
Ano: 2023
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |
Q2254481
Eletroeletrônica
A seguir, temos um circuito composto somente por capacitores.
Verificando a capacitância do circuito nos terminais a e b, teremos a capacitância equivalente (em μF) dada por:
Verificando a capacitância do circuito nos terminais a e b, teremos a capacitância equivalente (em μF) dada por:
Ano: 2023
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |
Q2254478
Eletroeletrônica
Um dos circuitos mais conhecidos de medição elétrica é a ponte de Wheatstone (ou ponte de
resistências), o qual permite obter medições precisas de resistência elétrica. Este circuito foi batizado
como ponte de Wheatstone devido ao seu inventor, Charles Wheatstone (1802-1875).
A ponte de Wheatstone ilustrada abaixo, está sendo utilizada em conjunto com um sensor de temperatura R2 para monitoramento da temperatura T em um trocador de calor.
O sensor de temperatura é do tipo termorresistivo, ou seja, sua resistência elétrica varia em função da temperatura aplicada. A função matemática que combina a temperatura (em °C) com a resistência elétrica (em kΩ) deste sensor é dada por:
T=0,05 * R2 -1503
Sabendo que T = 250°C, R1 = 10kΩ, R3 = 1MΩ e que a corrente elétrica no galvanômetro G é nula, o valor de R4 é dado por:
A ponte de Wheatstone ilustrada abaixo, está sendo utilizada em conjunto com um sensor de temperatura R2 para monitoramento da temperatura T em um trocador de calor.
O sensor de temperatura é do tipo termorresistivo, ou seja, sua resistência elétrica varia em função da temperatura aplicada. A função matemática que combina a temperatura (em °C) com a resistência elétrica (em kΩ) deste sensor é dada por:
T=0,05 * R2 -1503
Sabendo que T = 250°C, R1 = 10kΩ, R3 = 1MΩ e que a corrente elétrica no galvanômetro G é nula, o valor de R4 é dado por: