Questões de Concurso Para cti

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por V_e e a saída, pela tensão V_s.

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS. 

Julgue o próximo item, relativos às técnicas de corrosão úmida e a seco nos processos de fabricação de circuitos microeletrônicos. 


A técnica de corrosão úmida possui uma vantagem com relação à corrosão a seco, pois é um processo isotrópico, que atua uniformemente em todas as direções.

Julgue o próximo item, relativos às técnicas de corrosão úmida e a seco nos processos de fabricação de circuitos microeletrônicos. 


Corrosão é um processo de fabricação pelo qual um material é consumido seletivamente e de forma controlada.

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

As técnicas de deposição para filmes finos podem ser classificadas em deposição física de vapor (PVD) e deposição química de vapor (CVD).

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

A pulverização catódica (sputtering) é um processo de deposição química de vapor (CVD) através de evaporação térmica. 

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta uma desvantagem com relação à precisão de espessura do material, difícil de replicar.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes. 

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

O efeito de segunda ordem denominado efeito de corpo ocorre quando se aplica, ao terminal da fonte do transistor NMOS, uma tensão maior que a tensão de substrato, o que leva a um aumento do número de íons negativos da camada de depleção, sendo necessária uma maior tensão de limiar para formar o canal. 

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se movem da região de maior concentração para a região de menor concentração; esse movimento define uma corrente elétrica denominada corrente de difusão.