Questões de Concurso Comentadas por alunos sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Se v_I (t) > 0, então v_O(t) > 0.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O parâmetro R_E não influencia no ganho de transcondutância i_L(t)/v_I (t) do circuito.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Em análise do circuito pelo método dos nós, observa-se que existem duas restrições em relação a dois nós, excetuando-se o nó de terra.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída v_O(t) eentrada v_I(t) é dado por -R_LG.