Questões de Concurso Comentadas por alunos sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.